| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD2N100TM-ND |
【Fairchild Semiconductor】FQD2N30TM,MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N40TF,MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N40TM,MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N50TF,MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N50TM,MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N60CTF,MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N60CTF_F080,MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N60CTM,MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
