| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.7 欧姆 @ 950mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 235pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD2N60CTF_F080,MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N60CTM,MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N60CTM_WS,MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FQD2N80TF,MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N80TM,MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK