| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD2N80TM,MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N80TM_WS,MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N90TF,MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N90TM,MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2P40TF,MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK