您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fqd26n03ltm

FQD26N03LTM

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.045 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体DPAK
封装Reel下降时间42 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间220 ns典型关闭延迟时间15 ns

fqd26n03ltm的相关型号: