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FQD3N60CTM

描述MOSFET 500V N-CHA NNEL MOSFET漏极连续电流2.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)2.8 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间35 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)3.5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散50 W
上升时间30 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间35 ns

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