| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 220pf @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252，（D-Pak） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD4N20TM-NDFQD4N20TMFSTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD4N25TM_WS,MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD4N50TF,MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD4N50TM,MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD4N50TM_WS,MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD4P25TF,MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK