您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fqd4n50tm
  • FQD4N50TM

FQD4N50TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 欧姆 @ 1.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds460pF @ 25V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)

fqd4n50tm的相关型号: