| 描述 | MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-252 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 45 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 80 W |
| 上升时间 | 45 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQD6P25TF,MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD6P25TM,MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10LTF,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10LTM,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10TM,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20LTF,MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK