| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 350 毫欧 @ 2.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10LTM,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10TM,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20LTF,MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20LTM,MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20TF,MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20TM,MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20TM_F080,MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK