| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.28 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 120 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.5 W |
| 上升时间 | 190 ns | 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI12N50TU,MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N60CTU,MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N60TU,MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI13N06LTU,MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI13N06TU,MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK