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FQI12P10TU

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.29 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体I2PAK
封装Rail下降时间60 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散3.75 W
上升时间160 ns典型关闭延迟时间35 ns

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