| 描述 | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 12.75A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 65 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），417W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
【Fairchild Semiconductor】FQI27P06TU,MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2N30TU,MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2N80TU,MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2N90TU,MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2NA90TU,MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2P25TU,MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
