| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2.2 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 35 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
| 上升时间 | 45 ns | 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI4N80TU,MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N90TU,MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4P40TU,MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06LTU,MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06TU,MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N15TU,MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N20LTU,MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N20TU,MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK