| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.69 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 42 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
| 上升时间 | 110 ns | 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI8N60CTU,MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI8P10TU,MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N08LTU,MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N08TU,MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N15TU,MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N25CTU,MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK