| 描述 | MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | 漏极连续电流 | 9.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.73 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 77 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 156 W | 上升时间 | 69 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 144 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40,MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C,MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C_Q,MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP11N50CF,MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11P06,MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220