| 描述 | MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET | 漏极连续电流 | 19 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.17 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 115 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 10.8 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 139 W |
| 上升时间 | 150 ns | 典型关闭延迟时间 | 135 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20CTSTU,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20L,MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP1N50,MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP1N60,MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP1P50,MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP20N06,MOSFET N-CH 60V 20A TO-220