| 描述 | MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 400 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.8 欧姆 @ 900mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.5 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FQP2N50,MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N60,MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N60C,MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N60C_Q,MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP2N80,MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N90,MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N90_Q,MOSFET 900V N-Channel QFET
【Fairchild Semiconductor】FQP2NA90,MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
