| 描述 | MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET | 漏极连续电流 | 2 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 4.7 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 28 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 5 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 54 W |
| 上升时间 | 25 ns | 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP2N80,MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N90,MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N90_Q,MOSFET 900V N-Channel QFET
【Fairchild Semiconductor】FQP2NA90,MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2P25,MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP30N06,MOSFET N-CH 60V 30A TO-220