| 描述 | MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3 | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 400 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【Fairchild Semiconductor】FQP30N06,MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP30N06L,MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N12V2,MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C,MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C_F080,MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C_Q,MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
