| 描述 | MOSFET | 漏极连续电流 | 30 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.04 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 40 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 79 W | 上升时间 | 85 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP30N06L,MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N12V2,MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C,MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C_F080,MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C_Q,MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10L,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP34N20,MOSFET N-CH 200V 31A TO-220