| 描述 | MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET | 漏极连续电流 | 28 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.082 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 210 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 20 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 156 W |
| 上升时间 | 270 ns | 典型关闭延迟时间 | 245 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10L,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP34N20,MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP34N20L,MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N25,MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N30,MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N40,MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N50C,MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM