| 描述 | MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 32A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1040pF @ 25V | 功率 - 最大 | 79W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQP32N12V2,MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C,MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C_F080,MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP32N20C_Q,MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP33N10L,MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP34N20,MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP34N20L,MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
