| 描述 | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series | 漏极连续电流 | 3 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 4.8 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 32 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 107 W | 上升时间 | 43.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22.5 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP3N90,MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3P20,MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3P50,MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3P50_Q,MOSFET 500V P-Channel QFET
【Fairchild Semiconductor】FQP44N08,MOSFET N-CH 80V 44A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP44N10,MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP44N10F,MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP45N03L,MOSFET N-Ch/LL/30V/45a 0.018Ohm@VGS=10V