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FQP4N50_Q

描述MOSFET 500V N-Channel QFET漏极连续电流3.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)2.7 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Rail
下降时间30 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散70 W上升时间45 ns
典型关闭延迟时间20 ns

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