| 描述 | MOSFET 800V N-Channel QFET | 漏极连续电流 | 3.9 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 3.6 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Rail |
| 下降时间 | 35 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 130 W | 上升时间 | 45 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP4N90,MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP4N90C,MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP4P40,MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP50N06,MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP50N06L,MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP50N06L_Q,MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
