| 描述 | MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | 漏极连续电流 | 4.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2.5 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 46 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 4.7 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 100 W |
| 上升时间 | 42 ns | 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP5N80,MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP5N80_Q,MOSFET 800V N-Channel QFET
【Fairchild Semiconductor】FQP5N90,MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP5P10,MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP5P20,MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP630TSTU,MOSFET N-CH 200V 9A TO-220