| 描述 | MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | TO-220F | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQPF19N20C,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF19N20CYDTU,MOSFET 200V N-Chan Advance QFET 174 C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQPF19N20T,MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF1N50,MOSFET N-CH 500V 900MA TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF1N60,MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF1N60T,MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF1P50,MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F