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  • FQT3P20TF

FQT3P20TF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.21251
  • 8000$0.1988
  • 12000$0.18509
  • 28000$0.17549
  • 100000$0.16863
描述MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C670mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 欧姆 @ 335mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 25V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装SOT-223-4包装带卷 (TR)
其它名称FQT3P20TF-NDFQT3P20TFTR

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