描述 | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 3.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQU10N20TU_AM002,MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU11P06TU,MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU12N20TU,MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06LTU,MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06LTU_WS,MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06TU,MOSFET N-CH 60V 10A IPAK