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  • FQU1N80TU

FQU1N80TU

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 800V 1A IPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)800V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.2nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds195pF @ 25V
功率 - 最大2.5W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

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