| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 5.8 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | IPAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 25 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 30 ns | 典型关闭延迟时间 | 7 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQU2N50BTU,MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N50BTU_WS,MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N60CTLTU,MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQU2N60CTU,MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N80TU,MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N90TU,MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK