您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fqu5n20ltu

FQU5N20LTU

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)1.2 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体IPAK
封装Rail下降时间50 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间90 ns典型关闭延迟时间15 ns

fqu5n20ltu的相关型号: