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FZ1200R33KF2

制造商：-
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V
集电极—射极饱和电压：3.4 V

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产品属性

描述	IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C	在25 C的连续集电极电流	2000 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA	功率耗散	14.7 KW
最大工作温度	+ 125 C	封装 / 箱体	IHM130
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V	最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT	工厂包装数量	2

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