| 描述 | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | 技术 | - |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | - | 电流 - 平均整流 (Io) | - |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | - | 速度 | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | - |
| 不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | - |
| 封装/外壳 | - | 供应商器件封装 | - |
| 工作温度 - 结 | - |
【GeneSiC Semiconductor】GB02SLT12-220,肖特基（二极管与整流器） 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
【GeneSiC Semiconductor】GB02SLT12-263,肖特基（二极管与整流器） 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
【GeneSiC Semiconductor】GB03SLT12-220,肖特基（二极管与整流器） 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
【GeneSiC Semiconductor】GB03SLT12-247,肖特基（二极管与整流器） Silicon Carbide Schottky, 1200V
