| 描述 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.3 毫欧 @ 27.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5180pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 30W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 供应商设备封装 | LFPAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
6v、输出电流10a的条件下进行测试，上部电路固定为hat20682，下部电路用3种不同ron/qgd比值的hat20682。hat20682属于d7-l类型。在最低qgd为5.0nc的情况下，效率最高。降低栅极电阻rg有利于提高工作频率和开关损耗，仍用maxim1717实验板，测试条件为vin为12v、f为300khz和1mhz。测试结果，rg变大时，效率变低。 优化门限电压vth有两个目的，一是避免误开通，二是提高效率，降低损耗。安排上部固定为hat2168h，下部用具有三种不同vth值的hat2165h和hat2265h。实验板仍是maxim1717。测试条件是vout=1.3v、iout=10a，f=1mhz。从测试结果看，不同的vth有不同的效率曲线，需要找出一个最高效率曲线，即得到优化的vth。 从封装上看，d8-l系列与以往的d7-l系列产品在性能上有明显优势。这里把ron和qgd作为品质因数即mom来考察。在vdss为30v、栅-源电压vgs为4.5v的条件下，d8-l系列的mom从d7-l的65毫欧nc下降到24毫欧nc，改进了接近63%。将d8系列与d7系列产品在效率上进行比较 ...
