| 描述 | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 12.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 61nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4350pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 30W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 | 供应商设备封装 | LFPAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
，从而使隔离dc-dc转换器提高效率、降低能耗。 新型功率mosfet具有如下特性： (1)栅-漏极电荷比瑞萨早期的产品约低50%（电压容差为100v的rjk1056dpb） 为了降低隔离dc-dc转换器的能耗，需要栅-漏极电荷（qgd）较低（这是降低开关损耗的一个重要因素）的功率mosfet。这12款新型功率mosfet采用瑞萨第10代针对该应用进行了优化的0.18μm 工艺制造而成。例如，电压容差为100v的rjk1056dpb，其栅-漏极电荷为7.5nc，约为瑞萨早期产品hat2173h（14.5nc）的一半。 (2)电压容差范围广（40v、60v、80v 和 100v） 隔离 dc-dc 转换器的输入和输出电压取决于所使用的功率mosfet的电压容差。在隔离元件方面，隔离 dc-dc 转换器由充当输入端的主电源和充当输出端的副电源组成。新型功率 mosfet 系列包含专门用于满足一次侧需求、电压容差为80v 和100v的产品，以及用于满足二次侧需求、电压容差为40v和60v的产品。用户可以选择最符合其要求的产品。 (3)高性能封装提升了产品性能 新型功 ...
