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HGTD3N60A4S

描述IGBT 晶体管栅极/发射极最大电压+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流+/- 250 nA功率耗散70 W
最大工作温度+ 150 C封装 / 箱体TO-252-3
集电极最大连续电流 Ic17 A最小工作温度- 55 C
安装风格SMD/SMT

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