描述 | IGBT 晶体管 | 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
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栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA | 功率耗散 | 70 W |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
集电极最大连续电流 Ic | 17 A | 最小工作温度 | - 55 C |
安装风格 | SMD/SMT |
【Fairchild Semiconductor】HGTD3N60C3S9A,IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】HGTD7N60C3S9A,IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】HGTG10N120BND,IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG10N120BND_Q,IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HGTG11N120CN,IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG11N120CND,IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247