描述 | IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 | IGBT 类型 | - |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V | Vge, Ic时的最大Vce(开) | 1.9V @ 15V,30A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 60A | 功率 - 最大 | 208W |
输入类型 | 标准型 | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247 |
包装 | 管件 | 其它名称 | HGTG30N60B3-NDHGTG30N60B3FS |
我们进行瞬态分析,得到下图结果: 从图上可以看到: 1,mos管在开通时,可以看到miller效应在驱动信号上造成的平台。 2,当mos管开通时,在mos的漏极和二极管上产生很大的尖峰电流。 从仿真结果来看,的确存在我们前面分析的容性开通、反向恢复等问题。 那么软开关就能解决这个问题吗? 下面我们先推出今天的第一个软开关的例子:此电路是我以前分析一华为通信电源模块时所见。 在这个电路中,我们主要增加了一个50uh电感、一个1000pf电容、一个辅助开关管hgtg30n60b3、一个钳位二极管mur460等功率器件。 进行瞬态分析,我们得到如下结果: 在此图中,ga为辅助开关管驱动信号,g为主开关管驱动信号。ia为辅助开关管集电极电流信号,id为主开关管漏极电流信号。vdsa为辅助开关管vce信号,vds为主开关关vds信号。现在把工作原理分析如下: t1时刻,辅管开始导通,由于辅管是双极性器件,所以容性开通的情况并不严重。ia波形从零开始缓慢上升,说明辅管是零电流开通。随着ia电流增加,当ia=iout的时候,输入电感电流完全流入辅助开关管,谐振电感电 ...