| 描述 | IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel | 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
|---|---|---|---|
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A | 栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
| 功率耗散 | 208 W | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 | 封装 | Tube |
| 集电极最大连续电流 Ic | 60 A | 最小工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole |
【Fairchild Semiconductor】HGTG30N60C3D,IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG40N60A4,IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247
【Fairchild Semiconductor】HGTG40N60B3,IGBT N-CH UFS 600V 70A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG40N60B3_Q,IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
【Fairchild Semiconductor】HGTG5N120BND,IGBT NPT N-CH 1200V 21A TO-247