| 描述 | IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB | IGBT 类型 | NPT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.7V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 35A | 功率 - 最大 | 298W |
| 输入类型 | 标准型 | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | HGTP10N120BN-NDHGTP10N120BNFS |
【Fairchild Semiconductor】HGTP12N60A4,IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP12N60A4D,IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP12N60C3,IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP12N60C3D,IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP14N36G3VL,IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level
【Fairchild Semiconductor】HGTP14N37G3VL,IGBT 晶体管 14A 370V N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HGTP14N40F3VL,IGBT 晶体管 400V/14A/TF<1.2US
【Fairchild Semiconductor】HGTP20N35G3VL,IGBT 晶体管 Coil Dri 20A 350V