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HUF75309P3_Q

描述MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.07 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220AB
封装Tube下降时间30 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散55 W
上升时间39 ns典型关闭延迟时间24 ns

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