| 描述 | MOSFET USE 512-FDS3682 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.039 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 31 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 23 ns | 工厂包装数量 | 98 |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF75631SK8T,MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP
【Fairchild Semiconductor】HUF75637P3,MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUF75637S3_NR4895,MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75637S3S,MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75637S3ST,MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75639G3,MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HUF75639G3_Q,MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF75639P3,MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB