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  • HUF75631SK8T

HUF75631SK8T

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 5.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs79nC @ 20V输入电容 (Ciss) @ Vds1225pF @ 25V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

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