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HUF75639P3_Q

描述MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm电阻汲极/源极 RDS(导通)0.025 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220AB
封装Tube下降时间25 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散200 W
上升时间60 ns典型关闭延迟时间20 ns

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