| 描述 | MOSFET USE 512-FDD6612A Logic Level N-Ch | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.023 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-252AA |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 40 ns, 45 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 75 W |
| 上升时间 | 165 ns, 50 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns, 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF76121P3,MOSFET 47a 30V N-Ch MOSFET
【Fairchild Semiconductor】HUF76121S3ST,MOSFET USE 512-FDB6030BL
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3S,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3ST,MOSFET USE 512-FDD8878 Logic Level 0.016Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76129P3,MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET
【Fairchild Semiconductor】HUF76129S3,MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET