描述 | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 20V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223-4 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | HUFA75307T3ST-NDHUFA75307T3STTR |
【Fairchild Semiconductor】HUFA75309D3,MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75309D3S,MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75309D3ST,MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
【Fairchild Semiconductor】HUFA75309P3,MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA75309T3ST,MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】HUFA75321D3,MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75321D3S,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75321D3ST,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK