描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 49 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 645pF @ 25V |
功率 - 最大 | 60W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413DK8T,MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413DK8T_F085,MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413P3,MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419D3,MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419D3S,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419D3ST,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK