| 描述 | MOSFET N-CHAN 80V 2.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 2.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】HUFA76609D3,MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
【Fairchild Semiconductor】HUFA76609D3S,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76609D3ST,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76609D3ST_F085,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76619D3,MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76619D3S,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76619D3ST,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76629D3,MOSFET N-CH 100V 20A IPAK