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  • IGLD60R190D1SAUMA1

IGLD60R190D1SAUMA1

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  • 价格:3,000 : ¥66.48702卷带(TR)
  • 系列:CoolGaN?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述GAN HV PG-LSON-8FET 类型N 通道
技术GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1,6V @ 960μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)157 pF @ 400 VFET 功能-
功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-LSON-8-1
封装/外壳8-LDFN 裸焊盘

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