| 描述 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 40-80% | 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V |
|---|---|---|---|
| 绝缘电压 | 4000 Vrms | 电流传递比 | 80 % |
| 最大正向二极管电压 | 1.55 V | 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 110 C | 最小工作温度 | - 55 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 最大输入二极管电流 | 30 mA | 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 输出设备 | Phototransistor | 输出类型 | DC |
| 工厂包装数量 | 2000 |
